SUD35N10-26P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SUD35N10-26P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SUD35N10-26P
SUD35N10-26P Datasheet (PDF)
sud35n10-26p.pdf

New ProductSUD35N10-26PVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ) 100 % UIS TestedRoHS 0.026 at VGS = 10 V 100 35 31 nCCOMPLIANT APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-252DDrain Connected to TabGG D STop ViewSOrdering Information: SUD35N10-26P-E3 (Lead (Pb
sud35n10.pdf

New ProductSUD35N10-26PVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ) 100 % UIS TestedRoHS 0.026 at VGS = 10 V 100 35 31 nCCOMPLIANT APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-252DDrain Connected to TabGG D STop ViewSOrdering Information: SUD35N10-26P-E3 (Lead (Pb
sud35n05.pdf

New ProductSUD35N05-26LVishay SiliconixN-Channel 55 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Rated Maximum Junction Temperature0.020 at VGS = 10 V 35RoHS*55 Low Input Capacitance0.026 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252DDrain Connected to TabGG D STop ViewSOrderi
sud35n05-26l.pdf

SUD35N05-26LVishay SiliconixN-Channel 55 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a 175 C Rated Maximum Junction Temperature0.0200 at VGS = 10 V Low Input Capacitance35550.0260 at VGS = 4.5 V Material categorization: For definitions of30compliance please see www.vishay.com/doc?99912TO-252D
Другие MOSFET... SUD19P06-60L , SUD20N10-66L , SUD20P15-306 , SUD23N06-31 , SUD23N06-31L , SUD25N04-25 , SUD25N15-52 , SUD35N05-26L , 2N60 , SUD40N02-08 , SUD40N02-3M3P , SUD40N04-10A , SUD40N08-16 , SUD40N10-25 , SUD42N03-3M9P , SUD45P03-09 , SUD45P03-10 .
History: FCD260N65S3 | STL60NH3LL | WNM2034 | WML10N70D1 | AOC2804 | WMM30N65EM | BSD235N
History: FCD260N65S3 | STL60NH3LL | WNM2034 | WML10N70D1 | AOC2804 | WMM30N65EM | BSD235N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement