Справочник MOSFET. SUD35N10-26P

 

SUD35N10-26P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUD35N10-26P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 31 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 180 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SUD35N10-26P

 

 

SUD35N10-26P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  vishay
 sud35n10-26p.pdf

SUD35N10-26P SUD35N10-26P

New ProductSUD35N10-26PVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ) 100 % UIS TestedRoHS 0.026 at VGS = 10 V 100 35 31 nCCOMPLIANT APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-252DDrain Connected to TabGG D STop ViewSOrdering Information: SUD35N10-26P-E3 (Lead (Pb

 6.1. Size:168K  vishay
 sud35n10.pdf

SUD35N10-26P SUD35N10-26P

New ProductSUD35N10-26PVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ) 100 % UIS TestedRoHS 0.026 at VGS = 10 V 100 35 31 nCCOMPLIANT APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-252DDrain Connected to TabGG D STop ViewSOrdering Information: SUD35N10-26P-E3 (Lead (Pb

 8.1. Size:72K  vishay
 sud35n05.pdf

SUD35N10-26P SUD35N10-26P

New ProductSUD35N05-26LVishay SiliconixN-Channel 55 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Rated Maximum Junction Temperature0.020 at VGS = 10 V 35RoHS*55 Low Input Capacitance0.026 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252DDrain Connected to TabGG D STop ViewSOrderi

 8.2. Size:140K  vishay
 sud35n05-26l.pdf

SUD35N10-26P SUD35N10-26P

SUD35N05-26LVishay SiliconixN-Channel 55 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a 175 C Rated Maximum Junction Temperature0.0200 at VGS = 10 V Low Input Capacitance35550.0260 at VGS = 4.5 V Material categorization: For definitions of30compliance please see www.vishay.com/doc?99912TO-252D

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top