SUD35N10-26P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SUD35N10-26P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SUD35N10-26P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SUD35N10-26P даташит
sud35n10-26p.pdf
New Product SUD35N10-26P Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ) 100 % UIS Tested RoHS 0.026 at VGS = 10 V 100 35 31 nC COMPLIANT APPLICATIONS Primary Side Switch TO-252 D Drain Connected to Tab G G D S Top View S Ordering Information SUD35N10-26P-E3 (Lead (Pb
sud35n10.pdf
New Product SUD35N10-26P Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ) 100 % UIS Tested RoHS 0.026 at VGS = 10 V 100 35 31 nC COMPLIANT APPLICATIONS Primary Side Switch TO-252 D Drain Connected to Tab G G D S Top View S Ordering Information SUD35N10-26P-E3 (Lead (Pb
sud35n05.pdf
New Product SUD35N05-26L Vishay Siliconix N-Channel 55 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Rated Maximum Junction Temperature 0.020 at VGS = 10 V 35 RoHS* 55 Low Input Capacitance 0.026 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D Drain Connected to Tab G G D S Top View S Orderi
sud35n05-26l.pdf
SUD35N05-26L Vishay Siliconix N-Channel 55 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a 175 C Rated Maximum Junction Temperature 0.0200 at VGS = 10 V Low Input Capacitance 35 55 0.0260 at VGS = 4.5 V Material categorization For definitions of 30 compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-252 D
Другие MOSFET... SUD19P06-60L , SUD20N10-66L , SUD20P15-306 , SUD23N06-31 , SUD23N06-31L , SUD25N04-25 , SUD25N15-52 , SUD35N05-26L , SI2302 , SUD40N02-08 , SUD40N02-3M3P , SUD40N04-10A , SUD40N08-16 , SUD40N10-25 , SUD42N03-3M9P , SUD45P03-09 , SUD45P03-10 .
History: SUD23N06-31 | RUF025N02
History: SUD23N06-31 | RUF025N02
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement




