SUD50N03-06P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SUD50N03-06P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 565 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SUD50N03-06P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SUD50N03-06P даташит
sud50n03-06p.pdf
SUD50N03-06P Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) 175 _C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET D 175 _C Junction Temperature VDS (V) rDS(on) (W) ID (A)b D Optimized for Low-Side Synchronous Rectifier * Operation 0.0065 at VGS = 10 V 84b 30 30 D 100 % Rg Tested 0.0095 at VGS = 4.5 V 59b APPLICATIONS D DC/DC Converters D Synchronous Rectifiers TO-252 D Dr
sud50n03-06ap.pdf
SUD50N03-06AP New Product Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a, e Qg (Typ) D Optimized for Low Side Synchronous Rectifier Operation 0.0057 @ VGS = 10 V 90 RoHS 30 30 30 30 COMPLIANT D 100% Rg Tested 0.0078 @ VGS = 4.5 V 77 APPLICATIONS D DC/DC Converters D Synchronous Rectifiers TO-252 D
sud50n03-07.pdf
SUD50N03-07 Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D 175_C Maximum Junction Temperature D 100% Rg Tested 0.007 @ VGS = 10 V 20 30 30 0.010 @ VGS = 4.5 V 16 D TO-252 G Drain Connected to Tab G D S Top View Ordering Information S SUD50N03-07 SUD50N03-07 E3 ( Lead Free) N-Channel MOS
sud50n03-09p.pdf
SUD50N03-09P Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)b Available Optimized for High- or Low-Side 0.0095 at VGS = 10 V 63b RoHS* 100 % Rg Tested 30 COMPLIANT 0.014 at VGS = 4.5 V 52b APPLICATIONS DC/DC Converters Synchronous Rectifiers TO-252 D Drain Connected to T
Другие MOSFET... SUD45P04-16P , SUD50N02-04P , SUD50N02-06 , SUD50N02-06P , SUD50N02-09P , SUD50N024-09P , SUD50N025-06P , SUD50N03-06AP , IRFZ46N , SUD50N03-09P , SUD50N03-11 , SUD50N03-12P , SUD50N03-16P , SUD50N04-05L , SUD50N04-09H , SUD50N04-37P , SUD50N04-8M8P .
History: JCS10N60CC
History: JCS10N60CC
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent




