SUD50N04-37P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUD50N04-37P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SUD50N04-37P
SUD50N04-37P Datasheet (PDF)
sud50n04-37p.pdf
New ProductSUD50N04-37PVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS TestedRoHS 0.037 at VGS = 10 V 840 5.3 nC COMPLIANT 0.046 at VGS = 4.5 V 8APPLICATIONS Backlight Inverter for LCD Display Full Bridge DC/DC ConverterTO-252DGDrain Connected t
sud50n04-16p.pdf
SUD50N04-16PVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.016 at VGS = 10 V 20COMPLIANT 40 15.6 nC0.018 at VGS = 4.5 V 20APPLICATIONS LCD TV Inverter Secondary Synchronous RectificationTO-252DGDrain Connected to
sud50n04-8m8p.pdf
SUD50N04-8m8PVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0088 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET40 16 nC0.0105 at VGS = 4.5 V 50 100 % UIS Tested 100 % Rg Tested PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECA
sud50n04-05l.pdf
New ProductSUD50N04-05LVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)c 175 C Junction Temperature0.0054 at VGS = 10 V RoHS 11540 COMPLIANT 0.0069 at VGS = 4.5 V 102DTO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewSOrdering Information: SUD50N04-05L-E3 (Lead (Pb)
sud50n04-09h.pdf
SUD50N04-09HVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S), 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETSPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ) RoHS High Threshold Voltage At High TemperatureCOMPLIANT 0.009 at VGS = 10 V 40 50 55TO-252DGDrain Connected to TabG D STop ViewSOrdering Information: SUD50N04-
sud50n04-8m8p.pdf
SUD50N04-8M8Pwww.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0050 at VGS = 10 V 85 COMPLIANT 40 80 nC0.0065 at VGS = 4.5 V 70APPLICATIONS Synchronous Rectification Power SuppliesDTO-252 GG D S SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIM
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918