Справочник MOSFET. SUP85N15-21

 

SUP85N15-21 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP85N15-21
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SUP85N15-21

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP85N15-21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  vishay
 sup85n15-21.pdf pdf_icon

SUP85N15-21

SUP85N15-21Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.021 at VGS = 10 V 150 85RoHS*COMPLIANTAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220AB DDRAIN connected to TAB GG D S Top View SOrdering Information: SUP85N15-21SUP

 ..2. Size:74K  vishay
 sup85n15-21 sup85n15.pdf pdf_icon

SUP85N15-21

SUP85N15-21Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.021 at VGS = 10 V 150 85RoHS*COMPLIANTAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220AB DDRAIN connected to TAB GG D S Top View SOrdering Information: SUP85N15-21SUP

 7.1. Size:168K  vishay
 sup85n10-10p.pdf pdf_icon

SUP85N15-21

SUP85N10-10PVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.010 at VGS = 10 V10085d 77 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220AB APPLICATIONS IndustrialD G G D S Top View

 7.2. Size:95K  vishay
 sup85n10-10 sup85n10-10 sub85n10-10.pdf pdf_icon

SUP85N15-21

SUP85N10-10, SUB85N10-10Vishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0105 at VGS = 10 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC10085a0.012 at VGS = 4.5 V TO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S SUB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SUP75P03-07 , SUP75P05-08 , SUP85N02-03 , SUP85N03-04P , SUP85N03-3M6P , SUP85N04-03 , SUP85N10-10 , SUP85N10-10P , IRF640 , SUP90N03-03 , SUP90N04-3M3P , SUP90N06-5M0P , SUP90N06-6M0P , SUP90N08-4M8P , SUP90N08-6M8P , SUP90N08-7M7P , SUP90N08-8M2P .

History: FQPF5N50CFTU | 2SK1377 | FTK4435 | CMUDM7005 | CM220N04

 

 
Back to Top

 


 
.