Справочник MOSFET. IXTH30N50

 

IXTH30N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH30N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 227 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH30N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH30N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  ixys
ixth30n45 ixth30n50.pdfpdf_icon

IXTH30N50

Preliminary Data SheetVDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH 30N45 450 V 30 A 0.16 N-Channel Enhancement ModeIXTH 30N50 500 V 30 A 0.17 TO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)30N45 450 VVDSS TJ = 25C to 150C 30N50 500 V30N45 450 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 30N50 500 VTO-247 SMD( ...S )VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID

 0.1. Size:142K  ixys
ixth30n50l2-ixtq30n50l2-ixtt30n50l2.pdfpdf_icon

IXTH30N50

IXTH30N50L2 VDSS = 500VLinear L2TM PowerIXTQ30N50L2 ID25 = 30AMOSFET with extended IXTT30N50L2 RDS(on) 200m FBSOADDDDO DON-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)RGiwwG OO(TAB)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continu

 0.2. Size:336K  ixys
ixth30n50p ixtq30n50p ixtt30n50p ixtv30n50p.pdfpdf_icon

IXTH30N50

VDSS = 500 VIXTH 30N50PPolarHVTMID25 = 30 AIXTQ 30N50PPower MOSFET RDS(on) 200 m IXTT 30N50PN-Channel Enhancement ModeIXTV 30N50PAvalanche RatedIXTV 30N50PSTO-247 AD (IXTH)(TAB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuo

 0.3. Size:211K  inchange semiconductor
ixth30n50l.pdfpdf_icon

IXTH30N50

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXTH30N50LFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsLow switching lossLow on-state resistanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие MOSFET... IXTH24N50 , IXTH24N50MA , IXTH24N50MB , IXTH27N35MA , IXTH27N35MB , IXTH27N40MA , IXTH27N40MB , IXTH30N45 , IRF3710 , IXTH31N15MA , IXTH31N15MB , IXTH31N20MA , IXTH31N20MB , IXTH33N45 , IXTH35N25MA , IXTH35N25MB , IXTH35N30 .

History: FDMS7606 | FQP4N80 | PHT8N06LT | APT50M85JVFR | FQP4N90C

 

 
Back to Top

 


 
.