MMFT107T1
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMFT107T1
Маркировка: FT107
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.25
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Cossⓘ - Выходная емкость: 30
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14
Ohm
Тип корпуса:
SOT-223
Аналог (замена) для MMFT107T1
MMFT107T1
Datasheet (PDF)
..1. Size:78K onsemi
mmft107t1.pdf MMFT107T1Preferred DevicePower MOSFET250 mA, 200 VoltsNChannel SOT223This Power MOSFET is designed for high speed, low loss powerswitching applications such as switching regulators, dcdc converters,http://onsemi.comsolenoid and relay drivers. The device is housed in the SOT223package which is designed for medium power surface mount250 mAapplications.200 VOLTS
0.1. Size:118K motorola
mmft107t1rev3x.pdf MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT107T1/DMMFT107T1Medium Power Field EffectMotorola Preferred DeviceTransistorNChannel EnhancementModeSilicon Gate TMOSMEDIUM POWERTMOS FETSOT223 for Surface Mount250 mA, 200 VOLTSRDS(on) = 14 OHM MAXThis TMOS medium power field effect transistor is designed forhigh speed, low loss power switchi
8.1. Size:91K motorola
mmft108t1rev0.pdf MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT108T1/DField Effect TransistorMMFT108T1NChannel EnhancementModeLogic Level SOT223TMOS FET2, 4 DRAINTRANSISTORNCHANNEL ENHANCEMENT1GATE43 SOURCE123CASE 318E04, STYLE 3SOT223 (TO261AA)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDraintoSource Voltage VDSS 200
9.1. Size:236K motorola
mmft1n10e.pdf MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT1N10E/DMedium Power Field Effect TransistorMMFT1N10ENChannel Enhancement ModeMotorola Preferred DeviceSilicon Gate TMOS EFETtSOT223 for Surface MountMEDIUM POWERThis advanced EFET is a TMOS Medium Power MOSFETTMOS FETdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta-1 AMPtion mod
Другие MOSFET... IRFP344
, IRFP350
, IRFP350A
, IRFP350FI
, IRFP350LC
, IRFP351
, IRFP352
, IRFP353
, 2SK3568
, IRFP360
, IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
.