Справочник MOSFET. MMFT2N02ELT1

 

MMFT2N02ELT1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMFT2N02ELT1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для MMFT2N02ELT1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMFT2N02ELT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  onsemi
 mmft2n02elt1.pdf pdf_icon

MMFT2N02ELT1

MMFT2N02ELPreferred DevicePower MOSFET2 Amps, 20 VoltsNChannel SOT223This Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. This device is also designed withhttp://onsemi.coma low threshold voltage so it is fully enhanced with 5 Volts. This newenergy efficient device also offers a draintosource diode with a fast2 AMPERESre

 4.1. Size:250K  motorola
 mmft2n02el.pdf pdf_icon

MMFT2N02ELT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT2N02EL/DMedium Power Field Effect TransistorMMFT2N02ELNChannel Enhancement ModeMotorola Preferred DeviceSilicon Gate TMOS EFETtSOT223 for Surface MountMEDIUM POWERThis advanced EFET is a TMOS Medium Power MOSFETLOGIC LEVEL TMOS FETdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta-1

 8.1. Size:139K  motorola
 mmft2n25erev0.pdf pdf_icon

MMFT2N02ELT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT2N25E/DProduct PreviewMMFT2N25ETMOS E-FETHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET2.0 AMPERESThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to250 VOLTSwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.RDS(on) = 3.5 WThis new high energy device

 8.2. Size:143K  motorola
 mmft2n25e.pdf pdf_icon

MMFT2N02ELT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT2N25E/DProduct PreviewMMFT2N25ETMOS E-FETHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET2.0 AMPERESThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to250 VOLTSwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.RDS(on) = 3.5 WThis new high energy device

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MMF65R190PTH , MMF70R600PTH , MMF70R900PTH , MMF80R1K2PTH , MMF80R900PTH , MMFT107T1 , MMFT2406T1 , MMFT2955ET1 , AO3407 , MMFT5P03HDT1 , MMFT60R115PCTH , MMFT60R195PTH , MMFT60R290PCTH , MMFT60R290PTH , MMFT60R380PCTH , MMFT60R380PTH , MMFT65R195PTH .

History: 15N10 | SVF18NE50PN | YJL2301D | IXTT140P10T | BUK9M11-40H | HGK020N10S | STF28NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.