Справочник MOSFET. MMIX1F210N30P3

 

MMIX1F210N30P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMIX1F210N30P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: ISOLATED TAB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MMIX1F210N30P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  ixys
 mmix1f210n30p3.pdf pdf_icon

MMIX1F210N30P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VMMIX1F210N30P3Power MOSFET ID25 = 108A RDS(on) 16m (Electrically Isolated Tab)trr 250nsN-Channel Enhancement ModeDAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 V Isolated TabVDGR TJ

 7.1. Size:180K  ixys
 mmix1f230n20t.pdf pdf_icon

MMIX1F210N30P3

Advance Technical InformationGigaMOSTM TrenchTMVDSS = 200VMMIX1F230N20THiperFETTMID25 = 168A Power MOSFET RDS(on) 8.3m trr 200ns(Electrically Isolated Tab)DN-Channel Enhancement ModeGAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSSymbol Test Conditions Maximum Ratings Isolated TabVDSS TJ = 25C to 175C 200 V

 8.1. Size:225K  ixys
 mmix1f420n10t.pdf pdf_icon

MMIX1F210N30P3

Advance Technical InformationGigaMOSTM TrenchTMVDSS = 100VMMIX1F420N10THiperFETTMID25 = 334A Power MOSFET RDS(on) 2.6m Trr 140ns(Electrically Isolated Tab)DN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 V Isolated Tab

 8.2. Size:233K  ixys
 mmix1f360n15t2.pdf pdf_icon

MMIX1F210N30P3

Preliminary Technical InformationTrenchT2TM GigaMOSTMVDSS = 150VMMIX1F360N15T2HiperFETTMID25 = 235A Power MOSFET RDS(on) 4.4m trr 150ns(Electrically Isolated Tab)DN-Channel Enhancement ModeGAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSSymbol Test Conditions Maximum Ratings Isolated TabVDSS TJ = 25C to 175C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.