MMIX1F210N30P3 - описание и поиск аналогов

 

MMIX1F210N30P3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMIX1F210N30P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: ISOLATED TAB
 

 Аналог (замена) для MMIX1F210N30P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMIX1F210N30P3 технические параметры

 ..1. Size:181K  ixys
 mmix1f210n30p3.pdf pdf_icon

MMIX1F210N30P3

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V MMIX1F210N30P3 Power MOSFET ID25 = 108A RDS(on) 16m (Electrically Isolated Tab) trr 250ns N-Channel Enhancement Mode D Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V Isolated Tab VDGR TJ

 7.1. Size:180K  ixys
 mmix1f230n20t.pdf pdf_icon

MMIX1F210N30P3

Advance Technical Information GigaMOSTM TrenchTM VDSS = 200V MMIX1F230N20T HiperFETTM ID25 = 168A Power MOSFET RDS(on) 8.3m trr 200ns (Electrically Isolated Tab) D N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode S Symbol Test Conditions Maximum Ratings Isolated Tab VDSS TJ = 25 C to 175 C 200 V

 8.1. Size:225K  ixys
 mmix1f420n10t.pdf pdf_icon

MMIX1F210N30P3

Advance Technical Information GigaMOSTM TrenchTM VDSS = 100V MMIX1F420N10T HiperFETTM ID25 = 334A Power MOSFET RDS(on) 2.6m Trr 140ns (Electrically Isolated Tab) D N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V Isolated Tab

 8.2. Size:233K  ixys
 mmix1f360n15t2.pdf pdf_icon

MMIX1F210N30P3

Preliminary Technical Information TrenchT2TM GigaMOSTM VDSS = 150V MMIX1F360N15T2 HiperFETTM ID25 = 235A Power MOSFET RDS(on) 4.4m trr 150ns (Electrically Isolated Tab) D N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode S Symbol Test Conditions Maximum Ratings Isolated Tab VDSS TJ = 25 C to 175 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MMIS60R750PTH , MMIS60R900PTH , MMIS70H900QTH , MMIS70R1K4PTH , MMIS70R900PTH , MMIX1F132N50P3 , MMIX1F160N30T , MMIX1F180N25T , IRFP260N , MMIX1F230N20T , MMIX1F360N15T2 , MMIX1F40N110P , MMIX1F420N10T , MMIX1F44N100Q3 , MML60R190PTH , MML60R290PTH , MML65R190PTH .

 

 
Back to Top

 


 
.