Справочник MOSFET. MML60R190PTH

 

MML60R190PTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MML60R190PTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 154 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MML60R190PTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1334K  magnachip
 mml60r190pth.pdf pdf_icon

MML60R190PTH

MML60R190P Datasheet MML60R190P 600V 0.19 N-channel MOSFET Description MML60R190P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

 8.1. Size:1537K  magnachip
 mml60r290pth.pdf pdf_icon

MML60R190PTH

MML60R290P Datasheet MML60R290P 600V 0.29 N-channel MOSFET Description MML60R290P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APQ57SN10B | LR024N | RU8590R | NTP2955 | 2SK1254S | SMK0460D | PMN70XPE

 

 
Back to Top

 


 
.