MML60R190PTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MML60R190PTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 154 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для MML60R190PTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MML60R190PTH даташит

 ..1. Size:1334K  magnachip
 mml60r190pth.pdf pdf_icon

MML60R190PTH

MML60R190P Datasheet MML60R190P 600V 0.19 N-channel MOSFET Description MML60R190P is power MOSFET using magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

 8.1. Size:1537K  magnachip
 mml60r290pth.pdf pdf_icon

MML60R190PTH

MML60R290P Datasheet MML60R290P 600V 0.29 N-channel MOSFET Description MML60R290P is power MOSFET using magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

Другие IGBT... MMIX1F160N30T, MMIX1F180N25T, MMIX1F210N30P3, MMIX1F230N20T, MMIX1F360N15T2, MMIX1F40N110P, MMIX1F420N10T, MMIX1F44N100Q3, IRFB4115, MML60R290PTH, MML65R190PTH, MMN2302, MMN2312, MMN25N03, MMN3205, MMN3220, MMN3400