Справочник MOSFET. MMN4364DY

 

MMN4364DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN4364DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для MMN4364DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN4364DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  m-mos
 mmn4364dy.pdf pdf_icon

MMN4364DY

MMN4364DYPreliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 5.5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@19A = 6.5mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentSO-8 Internal Schematic DiagramDrain Gate

 9.1. Size:218K  m-mos
 mmn4338.pdf pdf_icon

MMN4364DY

MMN4338Preliminary Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@4.9A = 42mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.1A = 65mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Channel MOSFETMaximum

 9.2. Size:292K  m-mos
 mmn4326.pdf pdf_icon

MMN4364DY

MMN4326Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@8.5A = 41mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8.5A = 45mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.0A = 59mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View

 9.3. Size:201K  m-mos
 mmn4336.pdf pdf_icon

MMN4364DY

MMN4336Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@25A = 3.6mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@22A = 4.8mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MMN3220 , MMN3400 , MMN35N03 , MMN404 , MMN4307 , MMN4326 , MMN4336 , MMN4338 , AO3400 , MMN4410 , MMN4414 , MMN4418 , MMN4422 , MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.