MMN4364DY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN4364DY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для MMN4364DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN4364DY даташит

 ..1. Size:185K  m-mos
 mmn4364dy.pdf pdf_icon

MMN4364DY

MMN4364DY Preliminary Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 5.5m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@19A = 6.5m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current SO-8 Internal Schematic Diagram Drain Gate

 9.1. Size:218K  m-mos
 mmn4338.pdf pdf_icon

MMN4364DY

MMN4338 Preliminary Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@4.9A = 42m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.1A = 65m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOP-08 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top View N-Channel MOSFET Maximum

 9.2. Size:292K  m-mos
 mmn4326.pdf pdf_icon

MMN4364DY

MMN4326 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@8.5A = 41m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8.5A = 45m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.0A = 59m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOP-08 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top View

 9.3. Size:201K  m-mos
 mmn4336.pdf pdf_icon

MMN4364DY

MMN4336 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@25A = 3.6m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@22A = 4.8m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current SOP-08 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MMN3220, MMN3400, MMN35N03, MMN404, MMN4307, MMN4326, MMN4336, MMN4338, AO3401, MMN4410, MMN4414, MMN4418, MMN4422, MMN4430, MMN4444, MMN4446, MMN45N03