MMP4383 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MMP4383
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MMP4383
MMP4383 Datasheet (PDF)
mmp4383.pdf

MMP4383Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-3.9A = 85mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 130mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characte
mmp4357.pdf

MMP4357Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A =75mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A =105mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characteris
mmp4353.pdf

MMP4353Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30 P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0 = 75mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 119mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceS0-8 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characterist
mmp4399.pdf

MMP4399Preliminary Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-3.9A = 150mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 200mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOS
Другие MOSFET... MMP2301 , MMP2311 , MMP2323 , MMP3401 , MMP3415E , MMP3443 , MMP4353 , MMP4357 , 7N60 , MMP4399 , MMP4407 , MMP4411 , MMP4411DY , MMP4415A , MMP4425 , MMP4425DY , MMP4435BDY .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor