MMP4425DY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMP4425DY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.96 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 491.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для MMP4425DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMP4425DY даташит

 ..1. Size:154K  m-mos
 mmp4425dy.pdf pdf_icon

MMP4425DY

MMP4425DY Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-11A = 14m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-8.5A = 20m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance S0-8 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA

 7.1. Size:154K  m-mos
 mmp4425.pdf pdf_icon

MMP4425DY

MMP4425 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 38V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -38V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-14A = 15m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SO-8 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unless otherwise noted) Parameter

 9.1. Size:205K  m-mos
 mmp4415a.pdf pdf_icon

MMP4425DY

MMP4415A Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-8A = 28m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM SOP-08 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unl

 9.2. Size:154K  m-mos
 mmp4411.pdf pdf_icon

MMP4425DY

MMP4411 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-8A = 32m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-5A = 55m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SO-8 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MMP4357, MMP4383, MMP4399, MMP4407, MMP4411, MMP4411DY, MMP4415A, MMP4425, IRF1405, MMP4435BDY, MMP60R190PTH, MMP60R195PCTH, MMP60R290PCTH, MMP60R290PTH, MMP60R360PTH, MMP60R580PTH, MMP60R750PTH