Справочник MOSFET. MMSF7P03HDR2

 

MMSF7P03HDR2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMSF7P03HDR2
   Маркировка: S7P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для MMSF7P03HDR2

 

 

MMSF7P03HDR2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  onsemi
 mmsf7p03hd mmsf7p03hdr2.pdf

MMSF7P03HDR2 MMSF7P03HDR2

MMSF7P03HDPreferred DevicePower MOSFET7 A, 30 V, P-Channel SO-8These miniature surface mount devices are designed for use in lowvoltage, high speed switching applications where power efficiency isimportant. Typical applications are DC-DC converters, and powerhttp://onsemi.commanagement in portable and battery powered products such ascomputers, printers, cellular and cordless p

 0.1. Size:803K  cn vbsemi
 mmsf7p03hdr2g.pdf

MMSF7P03HDR2 MMSF7P03HDR2

MMSF7P03HDR2Gwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5D

 3.1. Size:214K  motorola
 mmsf7p03hdrev2.pdf

MMSF7P03HDR2 MMSF7P03HDR2

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMSF7P03HD/DDesigner's Data SheetMMSF7P03HDMedium Power Surface Mount ProductsMotorola Preferred DeviceTMOS Single P-ChannelField Effect TransistorsSINGLE TMOSSingle HDTMOS are an advanced series of power MOSFETsPOWER MOSFETwhich utilize Motorolas High Cell Density TMOS process.30 VOLTSHDTMOS devices a

 4.1. Size:219K  motorola
 mmsf7p03hd.pdf

MMSF7P03HDR2 MMSF7P03HDR2

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMSF7P03HD/DDesigner's Data SheetMMSF7P03HDMedium Power Surface Mount ProductsMotorola Preferred DeviceTMOS Single P-ChannelField Effect TransistorsSINGLE TMOSSingle HDTMOS are an advanced series of power MOSFETsPOWER MOSFETwhich utilize Motorolas High Cell Density TMOS process.30 VOLTSHDTMOS devices a

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ZXMP6A13F

 

 
Back to Top