SM6008NF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SM6008NF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для SM6008NF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SM6008NF даташит
sm6008nf sm6008nfp.pdf
SM6008NF/SM6008NFP N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/210A**, RDS(ON)= 3.4m (max.) @ VGS= 10V Reliable and Rugged S S D D Lead Free and Green Devices Available G G (RoHS Compliant) Top View of TO-220 Top View of TO-220-FP D Applications G Synchronous Rectification. Power Management in Inverter Systems. S N-Channel MOSFET Ordering and Mark
sm6008nsg.pdf
SM6008NSG N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/210A**, D RDS(ON)= 3.4m (max.) @ VGS= 10V S Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Top View of TO-263-3 D Applications G Synchronous Rectification. Power Management in Inverter Systems. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code SM6
bsm600ga120dlc.pdf
Technische Information / technical information IGBT-Module BSM600GA120DLC IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstro
bsm600ga120dlcs.pdf
Technische Information / technical information IGBT-Module BSM600GA120DLCS IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstr
Другие IGBT... SM5A25NSUB, SM5A26NSF, SM5A26NSFP, SM5A27NSF, SM5A27NSFP, SM6002NSF, SM6002NSKP, SM6002NSU, 13N50, SM6008NFP, SM6008NSG, SM6010PSU, SM6011NSF, SM6016NSU, SM6017NSF, SM6024PSF, SM6A07NSF
History: IRFH5303PBF | MMDF3N02HDR2G | AM2342 | STW26N60M2 | IRFH5406PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134










