Справочник MOSFET. VN0109N2

 

VN0109N2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0109N2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-39
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0109N2 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:576K  supertex
vn0109.pdfpdf_icon

VN0109N2

Supertex inc. VN0109N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon-gate Low power drive requirementmanufacturing process. This combination produces a device with Ease of parallelingthe power

 9.1. Size:51K  njs
zvn0106a.pdfpdf_icon

VN0109N2

 9.2. Size:588K  supertex
vn0104.pdfpdf_icon

VN0109N2

Supertex inc. VN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SQJ848EP | SIHG47N60S | PJU5NA50 | 9N95 | STP16NF06L | BUK457-400B | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.