SMC3407. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SMC3407
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
Тип корпуса: SOT-23L
Аналог (замена) для SMC3407
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SMC3407 даташит
smc3407.pdf
SMC3407 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC3407 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4.3A, RDS(ON) =44m (typ.)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-3.0A, RDS(ON) =70m (typ.)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Super high density cell design
smc3407s.pdf
SMC3407S www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter (SOT-23
smc3401.pdf
SMC3401 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC3401 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4.3A, RDS(ON) =44m (typ)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-3.5A, RDS(ON) =50m (typ)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -30V/-2.5A, RDS(ON) =65m (typ)@VGS =-2.5V provide excelle
smc3400.pdf
SMC3400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC3400 is the N-Channel logic enhancement 30V/5A, RDS(ON) =25m (typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/4A, RDS(ON) =28m (typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to 30V/3A, RDS(ON) =37m (typ.)@VGS =2.5V provide excellent RDS(ON).lo
Другие MOSFET... SM9A01NSFP , SMC2333 , SMC2342A , SMC2360 , SMC3054 , SMC3056 , SMC3400 , SMC3401 , IRFB7545 , SMC3414 , SMC3415A , SMC3535 , SMC4420 , SMC4428 , SMC4738 , SMC4812 , SMC8205AS .
History: 2SK113R | SMC3401
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor




