Справочник MOSFET. SMC3415A

 

SMC3415A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMC3415A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 771 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для SMC3415A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMC3415A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  semtron
 smc3415a.pdf pdf_icon

SMC3415A

SMC3415A -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3415A is the P-Channel logic -20V/-4.0A, RDS(ON) =43m(typ)@VGS =-4.5V enhancement mode power field effect transistor is -20V/-4.0A, RDS(ON) =58m(typ)@VGS =-2.5V produced using high cell density. advanced trench -20V/-2.0A, RDS(ON) =78m(typ)@VGS =-1.8V technology to provide excel

 8.1. Size:360K  semtron
 smc3414.pdf pdf_icon

SMC3415A

SMC3414 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3414 is the N-Channel logic enhancement 20V/5.0A, RDS(ON) =30m(typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.5A, RDS(ON) =42m(typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/3.8A, RDS(ON) =50m(typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

 9.1. Size:369K  semtron
 smc3407.pdf pdf_icon

SMC3415A

SMC3407 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3407 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4.3A, RDS(ON) =44m(typ.)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-3.0A, RDS(ON) =70m(typ.)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Super high density cell design

 9.2. Size:372K  semtron
 smc3401.pdf pdf_icon

SMC3415A

SMC3401 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3401 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4.3A, RDS(ON) =44m(typ)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-3.5A, RDS(ON) =50m(typ)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -30V/-2.5A, RDS(ON) =65m(typ)@VGS =-2.5V provide excelle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SMC2342A , SMC2360 , SMC3054 , SMC3056 , SMC3400 , SMC3401 , SMC3407 , SMC3414 , IRF9640 , SMC3535 , SMC4420 , SMC4428 , SMC4738 , SMC4812 , SMC8205AS , SMC8205AW , SMC8810 .

 

 
Back to Top

 


 
.