HFB1N60S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFB1N60S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: TO-92

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HFB1N60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFB1N60S даташит

 ..1. Size:238K  semihow
 hfb1n60s.pdf pdf_icon

HFB1N60S

Sep 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFB1N60S ID = 0.3 A 600V N-Channel MOSFET TO-92 FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics G Unrivalled Gate Charge 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 7.1. Size:185K  semihow
 hfb1n60f.pdf pdf_icon

HFB1N60S

Oct 2016 HFB1N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 1A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 6.5 100% Avalanche Tested Qg, Typ 3.7 nC RoHS Compliant TO-92 Symbol S D G Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Uni

 8.1. Size:238K  semihow
 hfb1n65s.pdf pdf_icon

HFB1N60S

Dec 2012 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFB1N65S ID = 0.3 A 650V N-Channel MOSFET TO-92 FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics G Unrivalled Gate Charge 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.1. Size:226K  semihow
 hfb1n70s.pdf pdf_icon

HFB1N60S

Dec 2012 BVDSS = 700 V RDS(on) typ HFB1N70S ID = 0.3 A 700V N-Channel MOSFET TO-92 FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics G Unrivalled Gate Charge 3.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HCP20NT60V, HCS12NK65V, HCS20NT60V, HCT7000M, HCT7000MTXV, HCU6N70S, HCU7NE70S, HFA9N90, IRFP450, HFB1N65S, HFB1N70S, HFD1N60S, HFD1N65S, HFD2N60, HFD2N60S, HFD2N60U, HFD2N65S