Справочник MOSFET. HFP12N65U

 

HFP12N65U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP12N65U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP12N65U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  semihow
 hfp12n65u.pdf pdf_icon

HFP12N65U

July 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.67 HFP12N65U ID = 12 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 42 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 6.1. Size:246K  semihow
 hfp12n65s.pdf pdf_icon

HFP12N65U

Aug 2009BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.67 HFP12N65SID = 12 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ ) Ext

 7.1. Size:171K  semihow
 hfp12n60u.pdf pdf_icon

HFP12N65U

July 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.53 HFP12N60U ID = 12 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 42 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 7.2. Size:255K  semihow
 hfp12n60s.pdf pdf_icon

HFP12N65U

Nov 2007BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.53 HFP12N60SID = 12 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ ) Ext

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SP8076EL | NCEP12T10F

 

 
Back to Top

 


 
.