Справочник MOSFET. HFP6N90

 

HFP6N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP6N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP6N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  semihow
 hfp6n90.pdf pdf_icon

HFP6N90

Dec 2005BVDSS = 900 VRDS(on) typ HFP6N90ID = 6.0 A900V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

 9.1. Size:198K  semihow
 hfp6n60u.pdf pdf_icon

HFP6N90

July 2012BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFP6N60U ID = 6.0 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.2. Size:201K  semihow
 hfp6n65u.pdf pdf_icon

HFP6N90

July 2012BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFP6N65U ID = 6.0 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.3. Size:197K  semihow
 hfp6n70u.pdf pdf_icon

HFP6N90

March 2013BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 1.8 HFP6N70U ID = 6.0 A700V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SP8076EL | NCEP12T10F

 

 
Back to Top

 


 
.