HUFA75309T3ST. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUFA75309T3ST

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для HUFA75309T3ST

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA75309T3ST даташит

 ..1. Size:171K  fairchild semi
 hufa75309t3st.pdf pdf_icon

HUFA75309T3ST

HUFA75309T3ST Data Sheet December 2001 3A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFET 3A, 55V This N-Channel power MOSFET is Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.070 manufactured using the innovative Diode Exhibits Both High Speed and Soft Recovery UltraFET process. This advanced process technology achieves the Temperature Compensating PSPICE

 5.1. Size:215K  fairchild semi
 hufa75309d3 hufa75309d3s hufa75309p3.pdf pdf_icon

HUFA75309T3ST

HUFA75309P3, HUFA75309D3, HUFA75309D3S Data Sheet December 2001 19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 19A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

 6.1. Size:174K  fairchild semi
 hufa75307t3st.pdf pdf_icon

HUFA75309T3ST

HUFA75307T3ST Data Sheet December 2001 2.6A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFET 2.6A, 55V This N-Channel power MOSFET is Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.090 manufactured using the innovative Diode Exhibits Both High Speed and Soft Recovery UltraFET process. This advanced process technology achieves the Temperature Compensating PSPIC

 6.2. Size:215K  fairchild semi
 hufa75307d3st hufa75307p3 hufa75307d3 hufa75307d3s.pdf pdf_icon

HUFA75309T3ST

HUFA75307P3, HUFA75307D3, HUFA75307D3S Data Sheet December 2001 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 15A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUF76633S3ST, HUFA75307D3, HUFA75307D3S, HUFA75307D3ST, HUFA75307P3, HUFA75309D3, HUFA75309D3S, HUFA75309P3, STF13NM60N, HUFA75321D3, HUFA75321D3ST, HUFA75321P3, HUFA75321S3S, HUFA75321S3ST, HUFA75329D3, HUFA75329D3S, HUFA75329D3ST