PMCM650VNE - аналоги и даташиты транзистора

 

PMCM650VNE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMCM650VNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.556 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP6
 

 Аналог (замена) для PMCM650VNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMCM650VNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  nxp
 pmcm650vne.pdf pdf_icon

PMCM650VNE

PMCM650VNE12 V, N-channel Trench MOSFET7 April 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer LevelChip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.98 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

 7.1. Size:384K  nxp
 pmcm6501une.pdf pdf_icon

PMCM650VNE

PMCM6501UNE20 V, N-channel Trench MOSFET30 May 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-SizePackage (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.98 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

 7.2. Size:398K  nxp
 pmcm650cune.pdf pdf_icon

PMCM650VNE

PMCM650CUNE20 V, Common Drain N-channel Trench MOSFETRev. 1.0 8 November 2017 Product data sheet1 Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode common-drain dual Field-Effect Transistor (FET) in a 6bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Common-drain type for bi-directional current flow L

 7.3. Size:771K  nxp
 pmcm6501vne.pdf pdf_icon

PMCM650VNE

PMCM6501VNE12 V, N-channel Trench MOSFET26 August 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer LevelChip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.98 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMBFJ176 , PMBFJ177 , PMBFJ620 , PMC85XP , PMCM4401VNE , PMCM4401VPE , PMCM440VNE , PMCM6501VPE , IRFP064N , WFF2N65 , WFF2N65B , WFF4N60 , WFF5N60 , WFF5N60B , WFF5N60C , WFF5N65B , WFF5N80 .

History: GSM2304S | MMFT60R290PCTH

 

 
Back to Top

 


 
.