Справочник MOSFET. PMPB10XNE

 

PMPB10XNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB10XNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020MD-6
 

 Аналог (замена) для PMPB10XNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB10XNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  nxp
 pmpb10xne.pdf pdf_icon

PMPB10XNE

PMPB10XNE20 V, single N-channel Trench MOSFET30 November 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 2.2 kV ESD protection Small and leadless ult

 0.1. Size:294K  nxp
 pmpb10xnea.pdf pdf_icon

PMPB10XNE

PMPB10XNEA20 V, N-channel Trench MOSFET27 March 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

 8.1. Size:321K  nxp
 pmpb100xpea.pdf pdf_icon

PMPB10XNE

PMPB100XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET13 November 2019 Product data sheet1. General DescriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin S

 8.2. Size:316K  nxp
 pmpb100ene.pdf pdf_icon

PMPB10XNE

PMPB100ENE30 V, N-channel MOSFET26 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin SMD plastic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMN40UPEA , PMN42XPE , PMN42XPEA , PMN50UPE , PMN50XP , PMN70XPE , PMN70XPEA , PMN80XP , 12N60 , PMPB11EN , PMPB12UN , PMPB13XNE , PMPB15XN , PMPB15XP , PMPB16XN , PMPB19XP , PMPB20EN .

History: DH060N08E | VBL1154N | SSF3604 | SI2311DS | SL7N65C | STD30NF06L-1 | P1615ATA

 

 
Back to Top

 


 
.