Справочник MOSFET. PMPB20UN

 

PMPB20UN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB20UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020MD-6
 

 Аналог (замена) для PMPB20UN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB20UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  nxp
 pmpb20un.pdf pdf_icon

PMPB20UN

PMPB20UN20 V, single N-channel Trench MOSFET12 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless

 8.1. Size:732K  nxp
 pmpb20xnea.pdf pdf_icon

PMPB20UN

PMPB20XNEA20 V, N-channel Trench MOSFET22 February 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology

 8.2. Size:295K  nxp
 pmpb20xpea.pdf pdf_icon

PMPB20UN

PMPB20XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET27 March 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

 8.3. Size:268K  nxp
 pmpb20en.pdf pdf_icon

PMPB20UN

PMPB20EN30 V N-channel Trench MOSFET14 January 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Small and leadless ultra t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMPB11EN , PMPB12UN , PMPB13XNE , PMPB15XN , PMPB15XP , PMPB16XN , PMPB19XP , PMPB20EN , AON7410 , PMPB20XPE , PMPB215ENEA , PMPB23XNE , PMPB27EP , PMPB29XNE , PMPB29XPE , PMPB33XN , PMPB33XP .

History: CHM3120JGP | CES2308 | GP1M018A020XX | 2N5114E3 | KTHD3100C | 2SK1099 | 2N60L-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.