PMPB29XNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMPB29XNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: DFN2020MD-6

Аналог (замена) для PMPB29XNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB29XNE даташит

 ..1. Size:258K  nxp
 pmpb29xne.pdf pdf_icon

PMPB29XNE

PMPB29XNE 30 V, single N-channel Trench MOSFET 26 November 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits 1 kV ESD protection Small and leadless ultra thin SMD plastic pack

 0.1. Size:288K  nxp
 pmpb29xnea.pdf pdf_icon

PMPB29XNE

PMPB29XNEA 30 V, N-channel Trench MOSFET 10 September 2018 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flank

 7.1. Size:278K  nxp
 pmpb29xpea.pdf pdf_icon

PMPB29XNE

PMPB29XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 27 March 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

 7.2. Size:233K  nxp
 pmpb29xpe.pdf pdf_icon

PMPB29XNE

PMPB29XPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET 5 December 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 2.3 kV ESD protected Small and leadless ultra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMPB16XN, PMPB19XP, PMPB20EN, PMPB20UN, PMPB20XPE, PMPB215ENEA, PMPB23XNE, PMPB27EP, 12N60, PMPB29XPE, PMPB33XN, PMPB33XP, PMPB40SNA, PMPB43XPE, PMPB47XP, PMPB48EP, PMPB85ENEA