Справочник MOSFET. PMV16XN

 

PMV16XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV16XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-236AB
 

 Аналог (замена) для PMV16XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV16XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  nxp
 pmv16xn.pdf pdf_icon

PMV16XN

PMV16XN20 V, N-channel Trench MOSFET11 November 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power diss

 9.1. Size:1631K  nxp
 pmv160up.pdf pdf_icon

PMV16XN

PMV160UP20 V, 1.2 A P-channel Trench MOSFETRev. 2 6 December 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated Trench MOSFET technology Very fast

 9.2. Size:270K  nxp
 pmv164enea.pdf pdf_icon

PMV16XN

PMV164ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET7 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology El

 9.3. Size:348K  tysemi
 pmv160up.pdf pdf_icon

PMV16XN

Product specificationPMV160UP20 V, 1.2 A P-channel Trench MOSFETRev. 2 6 December 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated Trench MOSFET tec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMPB48EP , PMPB85ENEA , PMPB95ENEA , PMR290UNE , PMR670UPE , PMT200EN , PMT760EN , PMV130ENEA , STF13NM60N , PMV20EN , PMV20XNE , PMV250EPEA , PMV27UPE , PMV30UN2 , PMV37EN2 , PMV40UN2 , PMV45EN2 .

History: 2SK1733 | CS6661 | PMN40ENA | SVD640T | NVTR4502P | CMPFJ310

 

 
Back to Top

 


 
.