PMV40UN2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMV40UN2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: TO-236AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMV40UN2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV40UN2 даташит

 ..1. Size:259K  nxp
 pmv40un2.pdf pdf_icon

PMV40UN2

PMV40UN2 30 V, N-channel Trench MOSFET 24 April 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissip

 7.1. Size:241K  philips
 pmv40un.pdf pdf_icon

PMV40UN2

PMV40UN TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 05 August 2003 Product data M3D088 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV40UN in SOT23. 1.2 Features Ultra low level threshold Surface mount package. 1.3 Applications Battery management High-speed switch.

 7.2. Size:96K  tysemi
 pmv40un.pdf pdf_icon

PMV40UN2

Product specification PMV40UN TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 05 August 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV40UN in SOT23. 1.2 Features Ultra low level threshold Surface mount package. 1.3 Applications Battery management Hig

 7.3. Size:848K  cn vbsemi
 pmv40un.pdf pdf_icon

PMV40UN2

PMV40UN www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMV130ENEA, PMV16XN, PMV20EN, PMV20XNE, PMV250EPEA, PMV27UPE, PMV30UN2, PMV37EN2, 4N60, PMV45EN2, PMV48XPA, PMV50XP, PMV65XPE, PMV65XPEA, PMV75UP, PMXB120EPE, PMXB350UPE