PMV45EN2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV45EN2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO-236AB

Аналог (замена) для PMV45EN2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV45EN2 даташит

 ..1. Size:463K  nxp
 pmv45en2.pdf pdf_icon

PMV45EN2

PMV45EN2 30 V, N-channel Trench MOSFET 3 June 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology Enhanced power dissipa

 7.1. Size:238K  philips
 pmv45en.pdf pdf_icon

PMV45EN2

PMV45EN TrenchMOS enhanced logic level FET Rev. 01 15 January 2003 Product data M3D088 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV45EN in SOT23. 1.2 Features Surface mount package Fast switching. 1.3 Applications Battery management High speed switch. 1

 7.2. Size:204K  tysemi
 pmv45en.pdf pdf_icon

PMV45EN2

Product specification PMV45EN N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 2 7 November 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications.

 9.1. Size:727K  nxp
 pmv450enea.pdf pdf_icon

PMV45EN2

PMV450ENEA 60 V, N-channel Trench MOSFET 23 March 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMV16XN, PMV20EN, PMV20XNE, PMV250EPEA, PMV27UPE, PMV30UN2, PMV37EN2, PMV40UN2, 18N50, PMV48XPA, PMV50XP, PMV65XPE, PMV65XPEA, PMV75UP, PMXB120EPE, PMXB350UPE, PMXB360ENEA