Справочник MOSFET. PMZB380XN

 

PMZB380XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZB380XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.93 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006B-3
 

 Аналог (замена) для PMZB380XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZB380XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  nxp
 pmzb380xn.pdf pdf_icon

PMZB380XN

PMZB380XN30 V, single N-channel Trench MOSFET1 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology Low

 9.1. Size:220K  nxp
 pmzb320upe.pdf pdf_icon

PMZB380XN

PMZB320UPE30 V, P-channel Trench MOSFET24 March 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching

 9.2. Size:968K  nxp
 pmzb370une.pdf pdf_icon

PMZB380XN

PMZB370UNE30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 8 May 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Ultra thin package

 9.3. Size:215K  nxp
 pmzb390une.pdf pdf_icon

PMZB380XN

PMZB390UNE30 V, N-channel Trench MOSFET12 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMZB200UNE , PMZB290UN , PMZB290UNE , PMZB290UNE2 , PMZB300XN , PMZB320UPE , PMZB350UPE , PMZB370UNE , IRF540N , PMZB390UNE , PMZB420UN , PMZB550UNE , PMZB600UNE , PMZB670UPE , PMZB790SN , PMZB950UPE , PNM23T100V6 .

History: UT3N06G-TM3-T | GSM3406AS

 

 
Back to Top

 


 
.