PSMN004-36B - описание и поиск аналогов

 

Аналоги PSMN004-36B. Основные параметры


   Наименование производителя: PSMN004-36B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 36 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для PSMN004-36B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSMN004-36B даташит

 ..1. Size:294K  philips
psmn004-36b.pdfpdf_icon

PSMN004-36B

PSMN004-36P/36B N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 19 November 2001 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PSMN004-36P in SOT78 (TO-220AB) PSMN004-36B in SOT404 (D2-PAK). 2. Features Very low on-state resistance Fast switching. 3. Applicat

 6.1. Size:105K  philips
psmn004-25b p 4.pdfpdf_icon

PSMN004-36B

Philips Semiconductors Product specification N-channel logic level TrenchMOS transistor PSMN004-25B, PSMN004-25P FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Low thermal resistance RDS(ON) 4 m (VGS = 10 V) g RDS(ON) 5 m (VGS = 5 V) s GENERAL DESCRIPTION SiliconMAX pr

 6.2. Size:96K  philips
psmn004-55w.pdfpdf_icon

PSMN004-36B

Philips Semiconductors Product specification N-channel logic level TrenchMOS transistor PSMN004-55W FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 100 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 4.2 m (VGS = 10 V) g RDS(ON) 4.5 m (VGS = 5 V) s RDS(ON) 5

 6.3. Size:712K  nxp
psmn004-60b.pdfpdf_icon

PSMN004-36B

PSMN004-60B N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET Rev. 02 15 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial ap

Другие MOSFET... PS8205B , PS90N80 , PSMG100-05 , PSMG150-01 , PSMG50-05 , PSMG60-08 , PSMN003-30B , PSMN003-30P , IRFP064N , PSMN004-55W , PSMN005-25D , PSMN005-55B , PSMN005-55P , PSMN005-75P , PSMN008-75P , PSMN009-100W , PSMN010-25YLC .

 

 
Back to Top

 


 
.