PSMN004-36B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PSMN004-36B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 36 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 97 nC
Время нарастания (tr): 220 ns
Выходная емкость (Cd): 1700 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
Тип корпуса: D2-PAK
Аналог (замена) для PSMN004-36B
PSMN004-36B Datasheet (PDF)
psmn004-36b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PSMN004-36P/36BN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 19 November 2001 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PSMN004-36P in SOT78 (TO-220AB)PSMN004-36B in SOT404 (D2-PAK).2. Features Very low on-state resistance Fast switching.3. Applicat
psmn004-25b p 4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Philips Semiconductors Product specification N-channel logic level TrenchMOS transistor PSMN004-25B, PSMN004-25PFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Low thermal resistanceRDS(ON) 4 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 5 m (VGS = 5 V)sGENERAL DESCRIPTIONSiliconMAX pr
psmn004-55w.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Philips Semiconductors Product specification N-channel logic level TrenchMOS transistor PSMN004-55W FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 100 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 4.2 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 4.5 m (VGS = 5 V)sRDS(ON) 5
psmn004-60b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PSMN004-60BN-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETRev. 02 15 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionSiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial ap
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
![PSMN004-36B](https://alltransistors.com/images/us.png)
![PSMN004-36B](https://alltransistors.com/images/es.png)
![PSMN004-36B](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C