WVM20N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WVM20N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO3
Аналог (замена) для WVM20N50
WVM20N50 Datasheet (PDF)
wvm20n50.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM20N50Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power source co
wvm20n8.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM20N8(MTM20N10) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power
Другие MOSFET... WVM12N10 , WVM13N50 , WVM15N20 , WVM15N40 , WVM15N45 , WVM15N50 , WVM15N60 , WVM18N20 , 8205A , WVM20N8 , WVM21N50 , WVM25N40 , WVM28N10 , WVM3.9N100 , WVM30N10 , WVM30N20 , WVM30N30 .
History: H5N2004DS | 2SK2371 | IRFI624G | SSD20N15-250D | IRFI640G | FDP65N06 | IRF630B
History: H5N2004DS | 2SK2371 | IRFI624G | SSD20N15-250D | IRFI640G | FDP65N06 | IRF630B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030