WVM20N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WVM20N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO3
Аналог (замена) для WVM20N50
WVM20N50 Datasheet (PDF)
wvm20n50.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM20N50Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power source co
wvm20n8.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM20N8(MTM20N10) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power
Другие MOSFET... WVM12N10 , WVM13N50 , WVM15N20 , WVM15N40 , WVM15N45 , WVM15N50 , WVM15N60 , WVM18N20 , 2SK3878 , WVM20N8 , WVM21N50 , WVM25N40 , WVM28N10 , WVM3.9N100 , WVM30N10 , WVM30N20 , WVM30N30 .
History: AP6N3R5S | MTH8N40 | MTM12N10 | HM4N65F | WVM28N10 | HM4N65K | NTD4813NH-1G
History: AP6N3R5S | MTH8N40 | MTM12N10 | HM4N65F | WVM28N10 | HM4N65K | NTD4813NH-1G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030



