PSMN1R0-40YLD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PSMN1R0-40YLD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1878 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm

Тип корпуса: LFPAK56

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PSMN1R0-40YLD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSMN1R0-40YLD даташит

 ..1. Size:288K  nxp
 psmn1r0-40yld.pdf pdf_icon

PSMN1R0-40YLD

PSMN1R0-40YLD N-channel 40 V 1.1 m logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 Schottky-Plus technology 25 August 2014 Product data sheet 1. General description Logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 150 C LFPAK56 package using advanced TrenchMOS Superjunction technology. This product has been designed and qualified for high performance power switching appli

 3.1. Size:295K  nxp
 psmn1r0-40ysh.pdf pdf_icon

PSMN1R0-40YLD

PSMN1R0-40YSH N-channel 40 V, 1 m , 290 A standard level MOSFET in LFPAK56E using NextPower-S3 Schottky-Plus technology 25 April 2019 Product data sheet 1. General description 290 Amp, standard level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 175 C LFPAK56E package using advanced TrenchMOS Superjunction technology. This product has been designed and qualified for high performance

 4.1. Size:322K  nxp
 psmn1r0-40ssh.pdf pdf_icon

PSMN1R0-40YLD

PSMN1R0-40SSH N-channel 40 V, 1 m , 325 Amps continuous, standard level MOSFET in LFPAK88 using NextPowerS3 Technology 1 May 2019 Product data sheet 1. General description 325 Amp continuous current, standard level gate drive, N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK88 package. NextPowerS3 family using Nexperia s unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency and low

 4.2. Size:264K  nxp
 psmn1r0-40uld.pdf pdf_icon

PSMN1R0-40YLD

PSMN1R0-40ULD N-channel 40 V, 1.1 m , 280 A logic level MOSFET in SOT1023A enhanced package for UL2595, using NextPower- S3 Schottky-Plus technology 23 May 2018 Product data sheet 1. General description SOT1023A with improved creepage and clearance to meet UL2595 requirements 280 Amp, logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 150 C LFPAK56 package using advanced Tre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PSMN040-100MSE, PSMN040-200W, PSMN041-80YL, PSMN050-80BS, PSMN075-100MSE, PSMN0R7-25YLD, PSMN0R9-30YLD, PSMN1R0-30YLD, HY1906P, PSMN1R1-40BS, PSMN1R2-30YLD, PSMN1R4-30YLD, PSMN1R4-40YLD, PSMN1R5-30BLE, PSMN1R6-30BL, PSMN1R6-40YLC, PSMN1R8-30BL