PSMN1R0-40YLD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PSMN1R0-40YLD
Маркировка: 1D040L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 198 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 127 nC
Время нарастания (tr): 62 ns
Выходная емкость (Cd): 1878 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0011 Ohm
Тип корпуса: LFPAK56
Аналог (замена) для PSMN1R0-40YLD
PSMN1R0-40YLD Datasheet (PDF)
psmn1r0-40yld.pdf
PSMN1R0-40YLDN-channel 40 V 1.1 m logic level MOSFET in LFPAK56 usingNextPower-S3 Schottky-Plus technology25 August 2014 Product data sheet1. General descriptionLogic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 150 C LFPAK56package using advanced TrenchMOS Superjunction technology. This product has beendesigned and qualified for high performance power switching appli
psmn1r0-40ysh.pdf
PSMN1R0-40YSHN-channel 40 V, 1 m, 290 A standard level MOSFET inLFPAK56E using NextPower-S3 Schottky-Plus technology25 April 2019 Product data sheet1. General description290 Amp, standard level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 175 C LFPAK56Epackage using advanced TrenchMOS Superjunction technology. This product has been designedand qualified for high performance
psmn1r0-40ssh.pdf
PSMN1R0-40SSHN-channel 40 V, 1 m, 325 Amps continuous, standard levelMOSFET in LFPAK88 using NextPowerS3 Technology1 May 2019 Product data sheet1. General description325 Amp continuous current, standard level gate drive, N-channel enhancement mode MOSFETin LFPAK88 package. NextPowerS3 family using Nexperias unique SchottkyPlus technologydelivers high efficiency and low
psmn1r0-40uld.pdf
PSMN1R0-40ULDN-channel 40 V, 1.1 m, 280 A logic level MOSFET inSOT1023A enhanced package for UL2595, using NextPower-S3 Schottky-Plus technology23 May 2018 Product data sheet1. General descriptionSOT1023A with improved creepage and clearance to meet UL2595 requirements 280 Amp, logiclevel gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 150 C LFPAK56 package usingadvanced Tre
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
