PSMN7R0-30MLC - описание и поиск аналогов

 

PSMN7R0-30MLC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PSMN7R0-30MLC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: LFPAK33

Аналог (замена) для PSMN7R0-30MLC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSMN7R0-30MLC даташит

 ..1. Size:369K  nxp
psmn7r0-30mlc.pdfpdf_icon

PSMN7R0-30MLC

PSMN7R0-30MLC N-channel 30 V 7 m logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology Rev. 4 15 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK33 package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefi

 4.1. Size:385K  philips
psmn7r0-30yl.pdfpdf_icon

PSMN7R0-30MLC

PSMN7R0-30YL N-channel 30 V 7 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 04 9 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications. 1.2 Features and benefits

 4.2. Size:974K  nxp
psmn7r0-30yl.pdfpdf_icon

PSMN7R0-30MLC

PSMN7R0-30YL N-channel 30 V 7 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 04 9 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications. 1.2 Features and benefits

 4.3. Size:771K  nxp
psmn7r0-30ylc.pdfpdf_icon

PSMN7R0-30MLC

PSMN7R0-30YLC N-channel 30 V 7.1 m logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Table 1. Quick reference data continued Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Dynamic characteristics QGD gate-drain charge VGS =4.5V; ID =20A; - 2.5 - nC VDS =15V; see Figure 14; see Figure 15 QG(tot) total gate charge VGS =4.5V; ID =20A; - 7.9 - nC VDS =15V; see Figure 14; see Fi

Другие MOSFET... PSMN5R0-80BS , PSMN5R6-100BS , PSMN6R0-30YLD , PSMN6R1-30YLD , PSMN6R3-120ES , PSMN6R3-120PS , PSMN6R5-80BS , PSMN7R0-100BS , IRF4905 , PSMN7R5-30MLD , PSMN7R5-30YLD , PSMN7R6-100BSE , PSMN7R6-60BS , PSMN7R6-60XS , PSMN7R8-100PSE , PSMN7R8-120ES , PSMN7R8-120PS .

History: AP20T15GI | IPD60R280P7 | EM6K34 | JMPF7N65BJ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.