PSMN7R0-30MLC. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PSMN7R0-30MLC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: LFPAK33
Аналог (замена) для PSMN7R0-30MLC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PSMN7R0-30MLC даташит
psmn7r0-30mlc.pdf
PSMN7R0-30MLC N-channel 30 V 7 m logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology Rev. 4 15 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK33 package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefi
psmn7r0-30yl.pdf
PSMN7R0-30YL N-channel 30 V 7 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 04 9 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications. 1.2 Features and benefits
psmn7r0-30yl.pdf
PSMN7R0-30YL N-channel 30 V 7 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 04 9 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications. 1.2 Features and benefits
psmn7r0-30ylc.pdf
PSMN7R0-30YLC N-channel 30 V 7.1 m logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Table 1. Quick reference data continued Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Dynamic characteristics QGD gate-drain charge VGS =4.5V; ID =20A; - 2.5 - nC VDS =15V; see Figure 14; see Figure 15 QG(tot) total gate charge VGS =4.5V; ID =20A; - 7.9 - nC VDS =15V; see Figure 14; see Fi
Другие MOSFET... PSMN5R0-80BS , PSMN5R6-100BS , PSMN6R0-30YLD , PSMN6R1-30YLD , PSMN6R3-120ES , PSMN6R3-120PS , PSMN6R5-80BS , PSMN7R0-100BS , IRF4905 , PSMN7R5-30MLD , PSMN7R5-30YLD , PSMN7R6-100BSE , PSMN7R6-60BS , PSMN7R6-60XS , PSMN7R8-100PSE , PSMN7R8-120ES , PSMN7R8-120PS .
History: AP20T15GI | IPD60R280P7 | EM6K34 | JMPF7N65BJ
History: AP20T15GI | IPD60R280P7 | EM6K34 | JMPF7N65BJ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n




