Справочник MOSFET. HD2312

 

HD2312 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HD2312
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0318 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HD2312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2289K  high diode
hd2312.pdfpdf_icon

HD2312

HD2312SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET N -Channel MOSFET roduct SummaryPID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT- 2331.8m@4.5VD35.6m@2.5V20V5A41.4m@1.8VSFeatures TrenchFET Power MOSFET G Excellent RDS(on) and Low Gate Charge Applications DC/DC Converters Load Switching for Portable Applications Marking: S12Symbol Unit Par

 9.1. Size:146K  sensitron
shd231009.pdfpdf_icon

HD2312

SHD231009 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 4305, REV - HERMETIC P-CHANNEL JFET FEATURES: 30 V, 75 , 30 mA P-Channel JFET Hermetically Sealed Surface Mount Package: Ceramic LCC-3 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TA = 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE ID = 1A, VDS = 0V VGS - - 30 V

 9.2. Size:32K  sensitron
shd231006.pdfpdf_icon

HD2312

SENSITRON SHD231006 SEMICONDUCTORTECHNICAL DATA DATA SHEET 4322, REV. A HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL SHD231006S -- S-100 (JANTX level room temp) Screening per Sensitron datasheet FEATURES: 60 Volt, 3.0 Ohm, 0.25 A MOSFET Isolated Hermetic, Ceramic Package Fast Switching Low RDS (on) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25C UNLESS OTHERWISE SPEC

 9.3. Size:160K  sensitron
shd231008.pdfpdf_icon

HD2312

SHD231008 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 4302, REV - HERMETIC DEPLETION MODE DMOS N-CHANNEL FEATURES: 250 V, 6 , 300 mA DMOS N-Channel FET Hermetically Sealed Surface Mount Package: Ceramic LCC-3 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TA = 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - 2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFR24N80P | GP2M007A065XG | RU1H60R | G2009K | SRC60R075BS | APT50M75B2LL | IRFH7084

 

 
Back to Top

 


 
.