SVF10N60S - описание и поиск аналогов

 

SVF10N60S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF10N60S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SVF10N60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF10N60S даташит

 ..1. Size:301K  silan
 svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60S

SVF10N60T/F/S/K 10A 600V N 2 SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 TO-263-2L 1

 ..2. Size:690K  silan
 svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60S

 6.1. Size:324K  silan
 svf10n60cafj.pdf pdf_icon

SVF10N60S

SVF10N60CAFJ 10A 600V N 2 SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.

 6.2. Size:577K  silan
 svf10n60cfj.pdf pdf_icon

SVF10N60S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVD540K , SVD640T , SVD640D , SVD640F , SVD9Z24NT , SVDZ24NT , SVF10N60T , SVF10N60F , IRF640 , SVF10N60K , SVF10N80F , SVF10N80K , SVF12N60T , SVF12N60F , SVF12N60S , SVF12N60K , SVF12N65CF .

History: 2SK3884-01 | AP3A010MT | ASDM3404ZA | DMP4015SPSQ | SK04N65B | SMG2318N | 2SK1081-01

 

 

 

 

↑ Back to Top
.