MTP6N60 - описание и поиск аналогов

 

MTP6N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP6N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для MTP6N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP6N60 даташит

 ..1. Size:153K  st
 mtp6n60.pdf pdf_icon

MTP6N60

MTP6N60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D MTP6N60 600 V

 ..2. Size:337K  st
 mtp6n60 2.pdf pdf_icon

MTP6N60

 0.1. Size:156K  motorola
 mtp6n60erev3.pdf pdf_icon

MTP6N60

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP6N60E/D Designer's Data Sheet MTP6N60E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 6.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 600 VOLTS degra

 0.2. Size:28K  motorola
 mtp6n60e.pdf pdf_icon

MTP6N60

TMOS E-FET. MTP6N60E Power Field Effect Transistor ON Semiconductor Preferred Device N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme TMOS POWER FET to provide enhanced voltage blocking capability without degrading 6.0 AMPERES performance over time. In addition, this advanced TMOS E FET is 600 VOLTS designed to withstand

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP10N10M , MTP3055E , MTP3055EFI , MTP30N05E , MTP30N08M , MTP3N50E , MTP3N60 , MTP3N60FI , 8N60 , NDB4050 , NDB4050L , NDB4060 , NDB4060L , NDB408A , NDB410A , NDB5060 , NDB5060L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.