MTP6N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP6N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 78 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
MTP6N60 Datasheet (PDF)
mtp6n60.pdf
MTP6N60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DMTP6N60 600 V
mtp6n60erev3.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP6N60E/DDesigner's Data SheetMTP6N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination6.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without600 VOLTSdegra
mtp6n60e.pdf
TMOS E-FET.MTP6N60EPower Field Effect TransistorON Semiconductor Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeTMOS POWER FETto provide enhanced voltageblocking capability without degrading6.0 AMPERESperformance over time. In addition, this advanced TMOS EFET is600 VOLTSdesigned to withstand
Другие MOSFET... MTP10N10M , MTP3055E , MTP3055EFI , MTP30N05E , MTP30N08M , MTP3N50E , MTP3N60 , MTP3N60FI , MMIS60R580P , NDB4050 , NDB4050L , NDB4060 , NDB4060L , NDB408A , NDB410A , NDB5060 , NDB5060L .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918