Справочник MOSFET. MTP6N60

 

MTP6N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP6N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP6N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  st
 mtp6n60.pdf pdf_icon

MTP6N60

MTP6N60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DMTP6N60 600 V

 ..2. Size:337K  st
 mtp6n60 2.pdf pdf_icon

MTP6N60

 0.1. Size:156K  motorola
 mtp6n60erev3.pdf pdf_icon

MTP6N60

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP6N60E/DDesigner's Data SheetMTP6N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination6.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without600 VOLTSdegra

 0.2. Size:28K  motorola
 mtp6n60e.pdf pdf_icon

MTP6N60

TMOS E-FET.MTP6N60EPower Field Effect TransistorON Semiconductor Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeTMOS POWER FETto provide enhanced voltageblocking capability without degrading6.0 AMPERESperformance over time. In addition, this advanced TMOS EFET is600 VOLTSdesigned to withstand

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP10N10M , MTP3055E , MTP3055EFI , MTP30N05E , MTP30N08M , MTP3N50E , MTP3N60 , MTP3N60FI , 8N60 , NDB4050 , NDB4050L , NDB4060 , NDB4060L , NDB408A , NDB410A , NDB5060 , NDB5060L .

History: FDG311N | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | IRF40H233 | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.