Справочник MOSFET. TSM5NB50CZ

 

TSM5NB50CZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM5NB50CZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12.4 nC
   Время нарастания (tr): 22 ns
   Выходная емкость (Cd): 83 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для TSM5NB50CZ

 

 

TSM5NB50CZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  taiwansemi
 tsm5nb50cz.pdf

TSM5NB50CZ TSM5NB50CZ

TSM5NB50 500V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 500 1.5 @ VGS =10V 4.4 General Description The TSM5NB50 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

 9.1. Size:300K  taiwansemi
 tsm5nd50ch tsm5nd50cp.pdf

TSM5NB50CZ TSM5NB50CZ

TSM5ND50 500V N-Channel Power MOSFET TO-251 TO-252 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (IPAK) (DPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 500 1.5 @ VGS =10V 2.2 General Description The TSM5ND50 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state res

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top