Справочник MOSFET. TSM9966DCX6

 

TSM9966DCX6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM9966DCX6
   Маркировка: 66*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.6 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 105 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

 Аналог (замена) для TSM9966DCX6

 

 

TSM9966DCX6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  taiwansemi
 tsm9966dcx6.pdf

TSM9966DCX6 TSM9966DCX6

TSM9966D 20V Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-26 Pin Definition: 1. Gate 1 6. Source 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 5. Drain 3. Gate 2 4. Source 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 20 40 @ VGS = 2.5V 5.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Specially Designed fo

 9.1. Size:382K  taiwansemi
 tsm9926dcs.pdf

TSM9966DCX6 TSM9966DCX6

TSM9926D 20V Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition: 1. Source 1 8. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 1 7. Drain 1 3. Source 2 6. Drain 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 4. Gate 2 5. Drain 2 20 40 @ VGS = 2.5V 5.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application

 9.2. Size:514K  taiwansemi
 tsm9933dcs.pdf

TSM9966DCX6 TSM9966DCX6

TSM9933D 20V P-Channel MOSFET SOP-8 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 1 8. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 1 7. Drain 1 3. Source 2 6. Drain 2 60 @ VGS = -4.5V -4.7 4. Gate 2 5. Drain 2 58 @ VGS = -4.5V -2.9 -20 78 @ VGS = -2.7V -1.5 85 @ VGS = -2.5V -3.8 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top