Справочник MOSFET. TSM9966DCX6

 

TSM9966DCX6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM9966DCX6
   Маркировка: 66*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

 Аналог (замена) для TSM9966DCX6

 

 

TSM9966DCX6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  taiwansemi
 tsm9966dcx6.pdf

TSM9966DCX6 TSM9966DCX6

TSM9966D 20V Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-26 Pin Definition: 1. Gate 1 6. Source 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 5. Drain 3. Gate 2 4. Source 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 20 40 @ VGS = 2.5V 5.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Specially Designed fo

 9.1. Size:382K  taiwansemi
 tsm9926dcs.pdf

TSM9966DCX6 TSM9966DCX6

TSM9926D 20V Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition: 1. Source 1 8. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 1 7. Drain 1 3. Source 2 6. Drain 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 4. Gate 2 5. Drain 2 20 40 @ VGS = 2.5V 5.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application

 9.2. Size:514K  taiwansemi
 tsm9933dcs.pdf

TSM9966DCX6 TSM9966DCX6

TSM9933D 20V P-Channel MOSFET SOP-8 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 1 8. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 1 7. Drain 1 3. Source 2 6. Drain 2 60 @ VGS = -4.5V -4.7 4. Gate 2 5. Drain 2 58 @ VGS = -4.5V -2.9 -20 78 @ VGS = -2.7V -1.5 85 @ VGS = -2.5V -3.8 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top