Справочник MOSFET. BUK472-100A

 

BUK472-100A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK472-100A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT-186A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK472-100A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  philips
 buk472-100a buk472-100b.pdf pdf_icon

BUK472-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK472-100A/B Isolated version of BUK452-100A/BGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. The BUK472 -100A -100Bdevice is intended foruse in Switched VDS Drain-source voltage 100 100 VMode Power Sup

 0.1. Size:59K  philips
 buk472-100a-b.pdf pdf_icon

BUK472-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK472-100A/B Isolated version of BUK452-100A/BGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. The BUK472 -100A -100Bdevice is intended foruse in Switched VDS Drain-source voltage 100 100 VMode Power Sup

 7.1. Size:57K  philips
 buk472-60a-b 1.pdf pdf_icon

BUK472-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK472-60A/B Isolated version of BUK452-60A/BGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. BUK472 -60A -60BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 VSwitched Mode Power Supplies

 9.1. Size:55K  philips
 buk474-60h 1.pdf pdf_icon

BUK472-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK474-60H GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 21 AAutomotive applications, Switched Ptot Total power dissipation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PHP45N03LT

 

 
Back to Top

 


 
.