Справочник MOSFET. BUK543-100B

 

BUK543-100B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK543-100B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: SOT-186A
 

 Аналог (замена) для BUK543-100B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK543-100B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  philips
 buk543-100b.pdf pdf_icon

BUK543-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK543-100A/B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic full-pack BUK543 -100A -100Benvelope. VDS Drain-source voltage 100 100 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 8.3 7.

 4.1. Size:58K  philips
 buk543-100a-b 1.pdf pdf_icon

BUK543-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK543-100A/B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic full-pack BUK543 -100A -100Benvelope. VDS Drain-source voltage 100 100 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 8.3 7.

 7.1. Size:56K  philips
 buk543-60a-b 1.pdf pdf_icon

BUK543-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK543-60A/B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic full-pack BUK543 -60A -60Benvelope. VDS Drain-source voltage 60 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 13 12 ASw

 9.1. Size:58K  philips
 buk542-100a-b 1.pdf pdf_icon

BUK543-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK542-100A/B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic full-pack BUK542 -100A -100Benvelope. VDS Drain-source voltage 100 100 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 6.3 5.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK139-50DL , BUK1M200-50SGTD , BUK452-100B , BUK455-100B , BUK455-200B , BUK456-100B , BUK472-100A , BUK472-100B , IRFB31N20D , BUK553-100B , BUK553-60A , BUK553-60B , BUK555-200B , BUK6207-30C , BUK6208-40C , BUK6240-75C , BUK652R7-30C .

 

 
Back to Top

 


 
.