BUK753R8-80E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUK753R8-80E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 349 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BUK753R8-80E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK753R8-80E даташит

 ..1. Size:211K  nxp
 buk753r8-80e.pdf pdf_icon

BUK753R8-80E

BUK753R8-80E N-channel TrenchMOS standard level FET 11 September 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in a SOT78 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 1.2 Features and benefits AEC Q101 compliant Repe

 7.1. Size:323K  philips
 buk753r1-40b buk763r1-40b.pdf pdf_icon

BUK753R8-80E

BUK75/763R1-40B TrenchMOS standard level FET Rev. 02 16 October 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Philips High-Performance Automotive TrenchMOS technology. Product availability BUK753R1-40B in SOT78 (TO-220AB) BUK763R1-40B in SOT404 (D2-PAK). 1.2 Features Very low on-sta

 7.2. Size:108K  philips
 buk753r4-30b buk763r4-30b.pdf pdf_icon

BUK753R8-80E

BUK753R4-30B; BUK763R4-30B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 5 January 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. 1.2 Features TrenchMOS technology Q101 compliant 175 C rated Standard level compa

 7.3. Size:210K  nxp
 buk753r5-60e.pdf pdf_icon

BUK753R8-80E

BUK753R5-60E N-channel TrenchMOS standard level FET 11 September 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in a SOT78 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 1.2 Features and benefits AEC Q101 compliant Repe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK7514-60E, BUK751R6-30E, BUK751R8-40E, BUK7524-55A, BUK752R3-40E, BUK752R7-60E, BUK753R1-40E, BUK753R5-60E, 3401, BUK754R7-60E, BUK755R4-100E, BUK758R3-40E, BUK7605-30A, BUK7613-100E, BUK7613-60E, BUK7614-55, BUK76150-55A