BUK953R2-40E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BUK953R2-40E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 234 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 69.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 73 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 875 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BUK953R2-40E Datasheet (PDF)
buk953r2-40e.pdf

BUK953R2-40EN-channel TrenchMOS logic level FET11 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel MOSFET in a SOT78 package using TrenchMOS technology.This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in highperformance automotive applications.1.2 Features and benefits AEC Q101 compliant Repetitive
buk953r2-40 buk963r2-40b buk9e3r2-40b.pdf

BUK95/96/9E3R2-40BTrenchMOS logic level FETRev. 04 14 November 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingPhilips High-Performance Automotive TrenchMOS technology.1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Logic level compatible.1.3 Applications A
buk953r5-60e.pdf

BUK953R5-60EN-channel TrenchMOS logic level FET11 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel MOSFET in a SOT78 package using TrenchMOS technology.This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in highperformance automotive applications.1.2 Features and benefits AEC Q101 compliant Repetitive
buk9535-55a buk9635-55a.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9535-55A Logic level FET BUK9635-55AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 34 Atrench technolo
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: STB170NF04
History: STB170NF04



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331