Справочник MOSFET. BUK953R5-60E

 

BUK953R5-60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK953R5-60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 293 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 822 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BUK953R5-60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK953R5-60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  nxp
buk953r5-60e.pdfpdf_icon

BUK953R5-60E

BUK953R5-60EN-channel TrenchMOS logic level FET11 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel MOSFET in a SOT78 package using TrenchMOS technology.This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in highperformance automotive applications.1.2 Features and benefits AEC Q101 compliant Repetitive

 7.1. Size:325K  philips
buk953r2-40 buk963r2-40b buk9e3r2-40b.pdfpdf_icon

BUK953R5-60E

BUK95/96/9E3R2-40BTrenchMOS logic level FETRev. 04 14 November 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingPhilips High-Performance Automotive TrenchMOS technology.1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Logic level compatible.1.3 Applications A

 7.2. Size:217K  nxp
buk953r2-40e.pdfpdf_icon

BUK953R5-60E

BUK953R2-40EN-channel TrenchMOS logic level FET11 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel MOSFET in a SOT78 package using TrenchMOS technology.This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in highperformance automotive applications.1.2 Features and benefits AEC Q101 compliant Repetitive

 8.1. Size:71K  philips
buk9535-55a buk9635-55a.pdfpdf_icon

BUK953R5-60E

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9535-55A Logic level FET BUK9635-55AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 34 Atrench technolo

Другие MOSFET... BUK9509-55A , BUK9515-60E , BUK9516 , BUK951R6-30E , BUK9528-55A , BUK952R3-40E , BUK952R8-60E , BUK953R2-40E , IRF9640 , BUK9540-100A , BUK954R4-80E , BUK954R8-60E , BUK956R1-100E , BUK958R5-40E , BUK9611-80E , BUK9614-60E , BUK96150-55A .

History: 2SK2162 | VBA1310S | AO3415A | BUK9M53-60E | AS2305

 

 
Back to Top

 


 
.