BUK9Y113-100E - описание и поиск аналогов

 

BUK9Y113-100E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9Y113-100E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: LFPAK56 POWER-SO8

Аналог (замена) для BUK9Y113-100E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9Y113-100E даташит

 ..1. Size:299K  nxp
buk9y113-100e.pdfpdf_icon

BUK9Y113-100E

BUK9Y113-100E N-channel 100 V, 113 m logic level MOSFET in LFPAK56 8 May 2013 Product data sheet 1. General description Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits Q101 compliant Repetiti

 7.1. Size:89K  philips
buk9y11-30b.pdfpdf_icon

BUK9Y113-100E

BUK9Y11-30B N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 30 August 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using NXP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. 1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Logic level compatible 1.3

 7.2. Size:315K  nxp
buk9y11-80e.pdfpdf_icon

BUK9Y113-100E

BUK9Y11-80E N-channel 80 V, 11 m logic level MOSFET in LFPAK56 8 May 2013 Product data sheet 1. General description Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits Q101 compliant Repetitive a

 7.3. Size:637K  nxp
buk9y11-30b.pdfpdf_icon

BUK9Y113-100E

BUK9Y11-30B N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 30 August 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. 1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Logic level compatible

Другие MOSFET... BUK9K35-60E , BUK9K45-100E , BUK9K52-60E , BUK9K6R2-40E , BUK9K6R8-40E , BUK9K89-100E , BUK9K8R7-40E , BUK9Y107-80E , IRF530 , BUK9Y11-80E , BUK9Y12-100E , BUK9Y12-40E , BUK9Y14-80E , BUK9Y15-100E , BUK9Y153-100E , BUK9Y15-60E , BUK9Y19-100E .

History: BUK9Y107-80E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.