BUK9Y113-100E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BUK9Y113-100E
Маркировка: 911310E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 10.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: LFPAK56 POWER-SO8
Аналог (замена) для BUK9Y113-100E
BUK9Y113-100E Datasheet (PDF)
buk9y113-100e.pdf
BUK9Y113-100EN-channel 100 V, 113 m logic level MOSFET in LFPAK568 May 2013 Product data sheet1. General descriptionLogic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOStechnology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for usein high performance automotive applications.2. Features and benefits Q101 compliant Repetiti
buk9y11-30b.pdf
BUK9Y11-30BN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 30 August 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic packageusing NXP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Logic level compatible1.3
buk9y11-80e.pdf
BUK9Y11-80EN-channel 80 V, 11 m logic level MOSFET in LFPAK568 May 2013 Product data sheet1. General descriptionLogic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOStechnology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for usein high performance automotive applications.2. Features and benefits Q101 compliant Repetitive a
buk9y11-30b.pdf
BUK9Y11-30BN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 30 August 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Logic level compatible
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AFP4535W | HM80N03KA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918