BUZ104L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUZ104L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 14 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BUZ104L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ104L даташит

 ..1. Size:132K  siemens
 buz104l.pdf pdf_icon

BUZ104L

BUZ 104L SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level dv/dt rated Low on-resistance 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 also in TO-220 SMD available G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 104L 50 V 17.5 A 0.1 TO-220 AB C67078-S1358-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Con

 8.1. Size:131K  siemens
 buz104.pdf pdf_icon

BUZ104L

BUZ 104 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated Low on-resistance 175 C operating temperature also in TO-220 SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 104 50 V 17.5 A 0.1 TO-220 AB C67078-S1353-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain curren

 8.2. Size:91K  siemens
 buz104s spp14n05.pdf pdf_icon

BUZ104L

BUZ104S BUZ104S BUZ 104 S SPP14N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 104 S 55 V 13.5 A 0.1 TO-220 AB Q67040-S4007-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Valu

 8.3. Size:129K  infineon
 buz104sl.pdf pdf_icon

BUZ104L

BUZ 104SL SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.064 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 12.5 A ID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ104SL P-TO220-3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUZ102AL, BUZ102S, BUZ102SL, BUZ102SL-4, BUZ103, BUZ103S-4, BUZ103SL, BUZ104, IRF9640, BUZ104S, BUZ10L, BUZ10S2, BUZ110S, BUZ111S, BUZ111SL, BUZ11AL, BUZ12