Справочник MOSFET. BUZ12A

 

BUZ12A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: BUZ12A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 42 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 85 ns

Выходная емкость (Cd): 800 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для BUZ12A

 

BUZ12A Datasheet (PDF)

1.1. buz12a.pdf Size:117K _update_mosfet

BUZ12A
BUZ12A

BUZ 12 A Not for new design SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 12 A 50 V 42 A 0.035 Ω TO-220 AB C67078-S1331-A3 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 44 °C 42 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 °C 168 Avalanche curre

5.1. buz12.pdf Size:109K _update_mosfet

BUZ12A
BUZ12A

BUZ12 SIPMOS® POWER TRANSISTORS FEATURE • Nchannel • Enhancement mode • Avalanche-rated • TO-220 envelope • Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit VDS Drain-Source Voltage 50 V ID Continuous Drain Current TC= 65°C 42 IDpuls Pulsed Drain Current TC= 25°C 168 A IAR Avalanche Current, Limited by Tjmax 42 EAR Avalanche Energy, Peri

Другие MOSFET... BUZ104S , BUZ10L , BUZ10S2 , BUZ110S , BUZ111S , BUZ111SL , BUZ11AL , BUZ12 , BS170 , BUZ171 , BUZ201 , BUZ202 , BUZ206 , BUZ210 , BUZ215 , BUZ216 , BUZ21L .

 

 
Back to Top