BUZ350. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ350

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO-218AA

Аналог (замена) для BUZ350

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ350 даташит

 ..1. Size:106K  infineon
buz350.pdfpdf_icon

BUZ350

BUZ 350 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 350 200 V 22 A 0.12 TO-218 AA C67078-S3117-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 33 C 22 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 88 Avalanche current,limited by Tjmax I

 9.1. Size:280K  st
buz354.pdfpdf_icon

BUZ350

 9.2. Size:264K  st
buz353.pdfpdf_icon

BUZ350

 9.3. Size:182K  siemens
buz351.pdfpdf_icon

BUZ350

Другие IGBT... BUZ339, BUZ34, BUZ341, BUZ342, BUZ345, BUZ346S2, BUZ348, BUZ349, 4435, BUZ351, BUZ355, BUZ356, BUZ357, BUZ358, BUZ360, BUZ37, BUZ381