Справочник MOSFET. CHM02N6GPAGP

 

CHM02N6GPAGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CHM02N6GPAGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 6.7 nC

Время нарастания (tr): 11 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для CHM02N6GPAGP

 

CHM02N6GPAGP Datasheet (PDF)

1.1. chm02n6gpagp.pdf Size:86K _update_mosfet

CHM02N6GPAGP
CHM02N6GPAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM02N6GPAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 1.9 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High pow

3.1. chm02n6pagp.pdf Size:97K _update_mosfet

CHM02N6GPAGP
CHM02N6GPAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM02N6PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 1.9 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High powe

3.2. chm02n6angp.pdf Size:107K _update_mosfet

CHM02N6GPAGP
CHM02N6GPAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM02N6ANGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 650 Volts CURRENT 1.5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

 
Back to Top