Справочник MOSFET. CS13N50FA9H

 

CS13N50FA9H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS13N50FA9H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CS13N50FA9H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS13N50FA9H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  wuxi china
 cs13n50fa9h.pdf pdf_icon

CS13N50FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS13N50F A9H VDSS 500 V General Description ID 13 A CS13N50F A9H, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25) 60 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 0.34 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in variou

 4.1. Size:268K  wuxi china
 cs13n50fa9r.pdf pdf_icon

CS13N50FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS13N50F A9R General Description VDSS 500 V CS13N50F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 13 A PD(TC=25) 42 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 6.1. Size:1016K  1
 jcs13n50ft.pdf pdf_icon

CS13N50FA9H

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

 6.2. Size:1655K  jilin sino
 jcs13n50bc jcs13n50sc jcs13n50cc jcs13n50fc.pdf pdf_icon

CS13N50FA9H

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 0.49 Qg 27 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS12N60F , CS12N60FA9H , CS12N60FA9HD , CS12N65A8H , CS12N65FA9H , CS138 , CS13N15D , CS13N50A8H , IRF830 , CS1405 , CS140N10A , CS150 , CS150N03A8 , CS150N04A8 , CS15N60 , CS16N60A8H , CS19N40A8H .

History: UPA1820GR | PZD502CYB | FTK7N65F | HUFA76429P3 | AOC2414 | STP10NK70ZFP | AOB266L

 

 
Back to Top

 


 
.