CS19N40A8H - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

CS19N40A8H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: CS19N40A8H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 276 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для CS19N40A8H

CS19N40A8H Datasheet (PDF)

..1. Size:426K wuxi china
cs19n40a8h.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS19N40 A8H VDSS 400 V General Description ID 19 A CS19N40 A8H the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.18 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

6.1. Size:438K wuxi china
cs19n40an.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS19N40 AN VDSS 400 V General Description ID 19 A CS19N40 AN, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.18 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

7.1. Size:426K crhj
cs19n40 a8h.pdf